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4H-N型SiC襯底
碳化硅（SiC）晶體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強等優(yōu)越性能，被認為是制備高頻大功率器件、高溫電子器件、微波器件最有應用前途的材料，被廣泛應用于新能源汽車(chē)電機驅動(dòng)、充電樁、光伏逆變器等領(lǐng)域。
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