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長(cháng)飛先進(jìn)：擬60億元建第三代半導體功率器件項目
6月26日，長(cháng)飛光纖董事會(huì )審議通過(guò)了《安徽長(cháng)飛先進(jìn)半導體有限公司2023年增資及融資計劃》，同意長(cháng)飛先進(jìn)半導體投資60億元建設第三代半導體功率器件生產(chǎn)項目，其中包括約36億元的股權融資及約24億元的銀行貸款。
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積塔半導體：6廠(chǎng)，12寸線(xiàn)，順利通線(xiàn)
日前，積塔半導體12英寸汽車(chē)芯片先導線(xiàn)順利建成通線(xiàn)，標志著(zhù)積塔12英寸汽車(chē)芯片項目取得重大進(jìn)展，是積塔半導體實(shí)現12吋汽車(chē)芯片戰略的重要里程碑。
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三菱與Coherent簽署SiC協(xié)議
材料和激光公司Coherent和三菱電機簽署了一份諒解備忘錄（MOU），合作開(kāi)展一項計劃，在200毫米技術(shù)平臺上擴大SiC電力電子產(chǎn)品的制造規模。
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三菱電機成功開(kāi)發(fā)基于新型結構的SiC-MOSFET
三菱電機集團近日宣布，其開(kāi)發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構，并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統等大型工業(yè)設備。
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