據了解，英飛凌將大幅擴建馬來(lái)西亞居林的SiC產(chǎn)能，將在 2022 年 2 月宣布的投資之上，追投50億歐元新建一個(gè)全球最大的8吋SiC工廠(chǎng)。

據悉，該計劃的擴張得到了客戶(hù)承諾的支持，其中包括汽車(chē)和工業(yè)應用領(lǐng)域約 50 億歐元的新設計勝利以及約 10 億歐元的預付款。

未來(lái)五年，加上 Villach 和 Kulim 計劃的 200 毫米 SiC 轉換，這項投資將在本十年末帶來(lái)約 70 億歐元的年 SiC 收入潛力。這個(gè)競爭激烈的制造基地將支持英飛凌在本十年末實(shí)現 30% 的 SiC 市場(chǎng)份額目標。英飛凌有信心公司2025財年的SiC營(yíng)收將提前實(shí)現10億歐元的目標。

據悉，英飛凌該擴張計得到了客戶(hù)的廣泛支持，資金來(lái)源包括：汽車(chē)和工業(yè)應用領(lǐng)域約50 億歐元的新定點(diǎn)合同，以及現有和新客戶(hù)約 10 億歐元的預付款。

新定點(diǎn)的客戶(hù)包括3家中國汽車(chē)企業(yè)。英飛凌公布的名單中有福特、上汽和奇瑞?？稍偕茉搭I(lǐng)域客戶(hù)包括SolarEdge和中國三大領(lǐng)先的光伏和儲能系統公司。

海外龍頭紛紛瞄準8英寸擴產(chǎn)

1.Wolfspeed最早布局

2015年Wolfspeed便對外展示了8英寸碳化硅襯底。2019年5月，Wolfspeed宣布投入10億美元進(jìn)行莫霍克谷新廠(chǎng)的建設。4月26日，全球最大的碳化硅供應商Wolfspeed公司宣布其位于美國紐約州莫霍克谷的碳化硅制造新廠(chǎng)開(kāi)業(yè)，首批碳化硅晶圓已在早些時(shí)候開(kāi)始制造。這座工廠(chǎng)采用的是8英寸碳化硅晶圓加工技術(shù)，也是全球首條8英寸生產(chǎn)線(xiàn)。這座工廠(chǎng)的啟動(dòng)，加快了碳化硅行業(yè)從6英寸向8英寸晶圓過(guò)渡的步伐。

上個(gè)月，Wolfspeed發(fā)布消息稱(chēng)公司已經(jīng)開(kāi)始向中國終端客戶(hù)批量出貨碳化硅MOSFET，首批供應的產(chǎn)品型號為C3M0040120K。也是這批次產(chǎn)品的正式交付，對碳化硅器件價(jià)格競爭更為劇烈起到了推動(dòng)作用。

而隨著(zhù)莫霍克谷工廠(chǎng)的投產(chǎn)，Wolfspeed也對未來(lái)的增長(cháng)更加看好，近期，Wolfspeed已經(jīng)將2024財年的收入目標上調至10億至11億美元，同比增長(cháng)34%~47%。

在襯底端，Wolfspeed往8英寸方向變革也顯露出了更大的布局規劃，2022年9月9日，Wolfspeed 宣布，將投資約13億美元（約90億人民幣），在北卡羅來(lái)納州新建一個(gè)號稱(chēng)世界上最大的碳化硅襯底工廠(chǎng)。新工廠(chǎng)計劃建于查塔姆縣（Chatham County），臨近Wolfspeed 已建成的達勒姆（Durham）碳化硅襯底工廠(chǎng)。

查塔姆新工廠(chǎng)建成將使他們的碳化硅產(chǎn)能增加10倍以上，主要生產(chǎn)8吋碳化硅襯底，供應Wolfspeed的紐約莫霍克谷工廠(chǎng)。

2.羅姆第三座新工廠(chǎng)導入8英寸

就在上月初，羅姆宣布，已和出光興產(chǎn)（Idemitsu）旗下太陽(yáng)能電池生產(chǎn)子公司Solar Frontier達成基本協(xié)議，計劃在今年10月取得其太陽(yáng)能面板制造工廠(chǎng)“國富工廠(chǎng)（宮崎縣國富町）”的資產(chǎn)（廠(chǎng)房和土地），將其打造成碳化硅（SiC）功率半導體新生產(chǎn)據點(diǎn)。

根據計劃，該SiC功率半導體新工廠(chǎng)目標是在2024年末開(kāi)始生產(chǎn)，將成為繼宮崎市、福岡縣筑后市之后，Rohm的第三座SiC功率半導體生產(chǎn)據點(diǎn)。

Rohm現有的2座生產(chǎn)據點(diǎn)采用6吋SiC晶圓產(chǎn)線(xiàn)，而新工廠(chǎng)將導入8吋SiC晶圓產(chǎn)線(xiàn)，以便提高生產(chǎn)效率。

Rohm預計，新的生產(chǎn)基地預計到2030財年滿(mǎn)產(chǎn)，屆時(shí)碳化硅產(chǎn)能將達到2021財年的35倍。

3.ST與湖南三安合資擴產(chǎn)8英寸

6月8日，據意法半導體官網(wǎng)消息，公司與三安光電宣布，雙方已簽署協(xié)議，在中國重慶建立一個(gè)新的200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)。該項目的完成有待監管部門(mén)批準。

據透露，新的碳化硅工廠(chǎng)計劃于2025年第四季度投產(chǎn)，預計在2028年全面建成，以支持中國汽車(chē)電氣化以及工業(yè)電力和能源應用不斷增長(cháng)的需求。與此同時(shí)，三安光電將單獨建設和運營(yíng)一個(gè)新的 200mm SiC 襯底制造工廠(chǎng)，以滿(mǎn)足合資企業(yè)的需求，使用自己的 SiC 襯底工藝。

值得一提的是，該合資企業(yè)將使用意法半導體專(zhuān)有的碳化硅制造工藝技術(shù)，專(zhuān)門(mén)為意法半導體生產(chǎn)碳化硅器件，并作為意法半導體的專(zhuān)用代工廠(chǎng)，支持其中國客戶(hù)的需求。

4.博世收購TSI半導體，2026年生產(chǎn)8吋碳化硅晶圓

今年5月，據路透社報道，德國博世集團（BOSCH）已經(jīng)同意收購總部位于美國加利福尼亞州羅斯維爾（Roseville）的芯片制造商TSI半導體（TSI Semiconductors）的關(guān)鍵資產(chǎn)，并宣布再投資15億美元擴大其在美國的電動(dòng)汽車(chē)用碳化硅芯片的產(chǎn)能。

據了解，此次收購包括 TSI 建物、機器和基礎設施、商業(yè)半導體業(yè)務(wù)。博世還將投資15億美元改建工廠(chǎng)，并計劃于2026年在其1萬(wàn)平方英尺的無(wú)塵室生產(chǎn)8吋碳化硅晶圓。

博世并未公布收購金額，同時(shí)強調，實(shí)際的后續投資金額將視美國芯片法案補助額決定。

資料顯示，TSI半導體在美國加州 Roseville 有座 8 吋晶圓廠(chǎng)，員工有 250 人，為客制化 (ASIC) 芯片的專(zhuān)業(yè)代工商。TSI羅斯維爾工廠(chǎng)生產(chǎn)的碳化硅芯片可以為電動(dòng)汽車(chē)提供更長(cháng)的續航里程，充電速度更快，因此在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的需求將日益增長(cháng)。根據博世的說(shuō)法，市場(chǎng)對碳化硅半導體的需求正以每年30%的速度增長(cháng)。收購完成后該廠(chǎng)將與博世位于德國兩座晶圓廠(chǎng)成為博世的三大支柱。

雖海外市場(chǎng)擴產(chǎn)腳步已紛紛轉向8英寸，但實(shí)際大規模量產(chǎn)仍需幾年時(shí)間。

意法半導體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部功率晶體管事業(yè)部市場(chǎng)溝通經(jīng)理Gianfranco DI MARCO表示，硅基半導體的發(fā)展歷史證明，改用更大尺寸的晶圓可以提高生產(chǎn)率。這是越來(lái)越多廠(chǎng)商積極推進(jìn)8英寸晶圓的主要原因之一。

但碳化硅晶圓向8英寸升級并不容易，即便有少數幾家公司能夠成功量產(chǎn)8英寸晶圓也不意味著(zhù)碳化硅的8英寸時(shí)代就此到來(lái)。IGBT發(fā)明人B.Jayant Baliga演講時(shí)就曾指出，碳化硅功率器件可以用更短的溝道長(cháng)度和更小的單元尺寸來(lái)實(shí)現傳統器件的功能。但碳化硅與硅基半導體材料相比，襯底生長(cháng)極為困難和緩慢，8英寸與6英寸碳化硅晶圓的工藝有很大差別，也更加復雜。

目前，我國碳化硅襯底晶圓制造領(lǐng)域，量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)仍以6英寸為主，且有效產(chǎn)能仍較低，還需攻克良率及成本問(wèn)題，產(chǎn)線(xiàn)升級8英寸還有難度。國內目前津少量企業(yè)新建/擴產(chǎn)產(chǎn)能以購買(mǎi)6-8兼容的設備機臺，來(lái)為即將到來(lái)的8英寸時(shí)代做儲備。

面對8英寸時(shí)代的挑戰，國內器件廠(chǎng)商應與襯底、外延等原材料廠(chǎng)商積極配合，充分整合國內產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，共同開(kāi)發(fā)8英寸材料、工藝等技術(shù)，包括降低芯片導通電阻及芯片面積，提高單晶圓產(chǎn)出。同時(shí)整合國內供應鏈，利用國產(chǎn)襯底外延材料價(jià)格及產(chǎn)能優(yōu)勢，降低成本提高產(chǎn)出，在研發(fā)、技術(shù)、工藝、質(zhì)量、產(chǎn)業(yè)化等多個(gè)維度全面提升核心競爭力。