·瞻芯電子3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)車(chē)規級可靠性認證

瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴格的車(chē)規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET芯片，具備業(yè)界較低的損耗水平，且驅動(dòng)電壓為15V~18V，兼容性更好。

這3款產(chǎn)品導通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時(shí)因TO247-4封裝具有開(kāi)爾文源極引腳，而能顯著(zhù)減小柵極驅動(dòng)電壓尖峰。

瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品與工藝平臺是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠(chǎng)開(kāi)發(fā)的， 自2023年9月份發(fā)布第一款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品以來(lái)，至今已有十幾款采用同代技術(shù)平臺的量產(chǎn)產(chǎn)品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，對比上一代產(chǎn)品，通過(guò)優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設計，讓器件的比導通電阻降低約25%，能進(jìn)一步降低器件損耗，提升系統效率。

瞻芯電子采用TO247-4封裝的車(chē)規級第二代650V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，因其具備高速開(kāi)關(guān)，且低損耗，以及良好的驅動(dòng)兼容性等優(yōu)秀特性，而能為功率變換系統提供高頻、高效率的解決方案，主要適用于電機驅動(dòng)、光伏逆變器、車(chē)載直流變換器（DC/DC）、車(chē)載充電機（OBC）、開(kāi)關(guān)電源。

·蓉矽半導體SiC MOSFET通過(guò)AEC-Q101車(chē)規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠(chǎng)商的導入測試并量產(chǎn)交付。

蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過(guò)了  HV-H3TRB可靠性驗證，同時(shí)對于應用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問(wèn)題，蓉矽的產(chǎn)品通過(guò)了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在在更為極端的應用場(chǎng)景中，也有優(yōu)秀的穩定性和可靠性，可滿(mǎn)足新能源汽車(chē)、光伏逆變等領(lǐng)域對功率器件的高質(zhì)量和車(chē)規級可靠性要求。

蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，最大可持續電流達75A。產(chǎn)品特點(diǎn)如下：

◎采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內的電流能力；

◎采用多晶硅網(wǎng)絡(luò )優(yōu)化技術(shù)，充分降低柵極內阻，提高器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對輸入電容的充放電速度，降低器件開(kāi)關(guān)損耗；

◎采用結終端優(yōu)化技術(shù)，降低器件在結終端的曲率效應，提高器件耐壓能力；采用開(kāi)爾文源的PAD設置，降低封裝中的雜散電感；

◎ VDD=800V時(shí)，短路耐受時(shí)間>3μs，TO-247-4封裝測試開(kāi)啟損耗為635μJ；

◎在下圖中，A為外商產(chǎn)品，B為國內廠(chǎng)商產(chǎn)品；所對比產(chǎn)品規格接近，封裝形式皆為TO-247-3L，驅動(dòng)電壓采用各廠(chǎng)商推薦值，測試結果采用標準化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1”。從對比結果可以看出，得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)損耗上的表現在所有競品中處于較好水平。

蓉矽SiC MOSFET應用于新能源汽車(chē)OBC和直流充電樁模塊時(shí)，可有效減少器件數量、簡(jiǎn)化系統、降低損耗、提高效率，推動(dòng)提高充電速度、實(shí)現續航突破。