該款車(chē)型被視為小米集團進(jìn)入新能源汽車(chē)領(lǐng)域的重要戰略布局，標志著(zhù)小米集團向自主品牌造車(chē)方向邁出了堅實(shí)的一步。

2023年12月，小米汽車(chē)舉行的技術(shù)發(fā)布會(huì )上，針對萬(wàn)眾矚目的小米汽車(chē)SU7的各種亮點(diǎn)產(chǎn)品力進(jìn)行了介紹。小米創(chuàng )辦人、董事長(cháng)兼CEO雷軍在會(huì )上重磅發(fā)布了包括800V SiC技術(shù)在內的多項硬核技術(shù)。

隨著(zhù)今天的產(chǎn)品發(fā)布會(huì )腳步越來(lái)越近，小米的各類(lèi)供應商都被一一披露，今天我們重點(diǎn)帶大家關(guān)注一下小米汽車(chē)在動(dòng)力部分的供應商情況，動(dòng)力部分，小米SU7提供了單電機和雙電機兩種動(dòng)力，其中雙電機版車(chē)型最大功率為 673 馬力，0-100km/h加速時(shí)間 2.78 秒，配備容量為 101kWh 的寧德時(shí)代三元鋰電池，CLTC 續航里程為 800km。單電機版車(chē)型最大功率 LTC 續航里程為 800km。單電機版車(chē)型最大功率 299 馬力，0-100km/h加速時(shí)間 5.28 秒，配備容量為 73.6kWh 的弗迪磷酸鐵鋰電池，CLTC 續航里程為668km。

電驅方面，根據小米此前的信息披露，小米SU7的400V平臺兩驅版搭載的是聯(lián)合汽車(chē)電子的SiC電驅?zhuān)篁屗溆来烹姍C（TZ220XS102），而800V四驅版搭載的是匯川聯(lián)合動(dòng)力的SiC電驅?zhuān)坝屠洚惒诫姍C（YS210XY102），后油冷永磁電機（TZ220XY102），峰值轉速21000RPM；

這與蓋世汽車(chē)發(fā)布的小米SU7的供應商信息一致，那么這里面的碳化硅應用情況如何呢？

小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅供應商為聯(lián)合汽車(chē)電子，其中搭載了來(lái)自博世的碳化硅芯片，根據調研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。

小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅供應商為聯(lián)合汽車(chē)電子，其中搭載了來(lái)自博世的碳化硅芯片，根據調研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。

根據博世的技術(shù)人員介紹，博世第二代750V碳化硅產(chǎn)品將改進(jìn)體二極管以提高開(kāi)關(guān)速度，在切換速度不變的前提下，減少了50%的dv/dt；實(shí)現單位面積Rdson 30%的縮減。這款被搭載在小米SU7上的碳化硅芯片的高溫表現良好，175攝氏度高溫系數達1.45，完全可以媲美國際大廠(chǎng)的最優(yōu)一代平面型產(chǎn)品。

博世的碳化硅產(chǎn)品采用了獨特的雙通道溝槽柵極技術(shù)。與平面型和單通道溝槽柵極技術(shù)相比，博世的雙通道溝槽柵極技術(shù)使產(chǎn)品在相同的芯片面積下具有更低的導通電阻，在功率相同的情況下，芯片所需面積更小，因此對于芯片產(chǎn)出與成本控制都有明顯優(yōu)勢。此外還可支持更高的結溫耐受，支持最高200℃的溫度下連續運行。

受益于大陸市場(chǎng)的強勁需求，博世近年來(lái)也堅定在碳化硅方面的投入，產(chǎn)能擴張方面也相對積極。五年前，博世決定首先在Reutlingen建立自己的碳化硅芯片生產(chǎn)廠(chǎng)。2021年，博世將再次擴大了這一生產(chǎn)設施。去年，博世又將生產(chǎn)基地的規模擴大了一倍。近期，博世以15億美元收購了美國一家現有的芯片工廠(chǎng)。目前，該工廠(chǎng)正在全面轉產(chǎn)碳化硅。公司的目標是在2026年交付第一批在美國生產(chǎn)的碳化硅芯片。

此外，在對8英寸的晶圓量產(chǎn)節奏上，博世也做出了規劃，根據博世集團董事會(huì )主席史蒂凡·哈通博士披露，從2026年開(kāi)始，博世計劃在具備高成本效益的200毫米晶圓上制造首批溝槽結構的碳化硅芯片。

小米SU7雙電機版，800V電壓平臺的電驅供應商為匯川聯(lián)合動(dòng)力，其中搭載了來(lái)自英飛凌的碳化硅模組和芯片產(chǎn)品。

早在2022年底，英飛凌科技就推出了采用CoolSiC? MOSFET技術(shù)的全新車(chē)規功率模塊— HybridPACK? Drive CoolSiC?，該款產(chǎn)品具有1200 V阻斷電壓、且適用于電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器的全橋模塊。

   采用搭載來(lái)自英飛凌自己的CoolSiC溝槽柵MOSFET技術(shù)，適用于高功率密度和高性能的應用場(chǎng)景。進(jìn)一步提高了逆變器的效率，實(shí)現更高的續航里程并降低電池成本，適用于800 V電池系統及更高電池容量的電動(dòng)汽車(chē)。

  與剛剛上文介紹的博世芯片一致，英飛凌的CoolSiC MOSFET也采用的是溝槽結構設計。英飛凌表示，與平面結構技術(shù)相比，溝槽柵結構可實(shí)現更高的單元密度，從而產(chǎn)生最佳的品質(zhì)因素。因此，溝槽柵MOSFET可以在較低的柵極氧化物場(chǎng)強下工作，從而提高可靠性。

同樣的，英飛凌也看到了汽車(chē)市場(chǎng)巨大的碳化硅應用機會(huì )，正在積極布局碳化硅的產(chǎn)能。此前英飛凌就公布了公司已投資50億歐元在馬來(lái)西亞新建一家碳化硅工廠(chǎng)。英飛凌稱(chēng)，這將是全球最大的碳化硅工廠(chǎng)。英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck預計，到2030年，碳化硅市場(chǎng)的價(jià)值將達到70億歐元，其中約一半將來(lái)自汽車(chē)行業(yè)。

值得一提的是，碳化硅產(chǎn)品在小米SU7中的應用不止主驅逆變環(huán)節，根InSemi調研信息顯示，小米SU7的400V及800V平臺中均搭載了華域三電的熱管理EDC產(chǎn)品，其中壓縮機控制器部分的供應均來(lái)自國內企業(yè)致瞻科技。

致瞻科技是目前全球唯一一家在新能源汽車(chē)400V、800V、1000V平臺上成熟量產(chǎn)基于碳化硅方案的空調壓縮機控制器的供應商。2023年11月，致瞻科技第20000臺乘用車(chē)碳化硅電動(dòng)壓縮機控制器已成功下線(xiàn)。

在早前我們的文章中曾介紹到，針對純電動(dòng)汽車(chē)，尤其是針對800V電壓平臺，電動(dòng)空調壓縮機控制器的首選方案將是SiC方案，在全系800V高壓平臺下，電動(dòng)壓縮機部件采用SiC技術(shù)，可以更好地解決高壓、高轉速所帶來(lái)的開(kāi)關(guān)損耗瓶頸，進(jìn)而減小壓縮機體積和重量、降低壓縮機的噪音、最大程度降低能耗。

致瞻科技官網(wǎng)信息顯示，新能源汽車(chē)熱管理系統通過(guò)空調壓縮機實(shí)現熱量的運轉，壓縮機驅動(dòng)系統消耗大量電力，尤其在夏、冬兩季。致瞻科技推出全SiC空調壓縮機控制器，相比傳統硅基控制器，驅動(dòng)器電量損耗可降低70%，并滿(mǎn)足800V電氣系統架構。

在芯片選擇上，致瞻與Wolfspped有深度合作，除此之外今年1月18日，宣布與意法半導體達成合作，意法半導體為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調中的壓縮機控制器提供其第三代SiC MOSFET技術(shù)。

ST當前將中國市場(chǎng)戰略作為重中之重，在此前接受行業(yè)媒體采訪(fǎng)中，ST表示為了滿(mǎn)足中國新能源汽車(chē)市場(chǎng)快速增長(cháng)的碳化硅需求，正在快速擴大寬禁帶器件產(chǎn)能。公司位于意大利卡塔尼亞新的全工序碳化硅襯底制造廠(chǎng)正在建設中，預計 2024 年開(kāi)始投產(chǎn)。

2023 年 6 月，ST還宣布與國內碳化硅企業(yè)三安光電成立合資公司，在中國量產(chǎn)8英寸碳化硅器件。該合資公司也將支持中國汽車(chē)電動(dòng)化發(fā)展，滿(mǎn)足市場(chǎng)對意法半導體碳化硅器件不斷增長(cháng)的需求。

產(chǎn)品迭代方面，公司第四代SiC MOSFET技術(shù)將于2024年量產(chǎn)，以增強ST在性能和成本方面的競爭力。

小米SU7是小米首款量產(chǎn)車(chē)型，融合了當前最先進(jìn)的各項技術(shù)，很高興我們在小米SU7中看到新能源汽車(chē)含“SiC”量迅速攀升，如果按照晶圓面積計算一下小米汽車(chē)對碳化硅晶圓的消耗量，基本可以視為每3-4輛小米汽車(chē)就要消耗掉一片6英寸的碳化硅晶圓。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，當前國內擁有最完善的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，最具優(yōu)勢的碳化硅襯底、外延材料成本，以及最大的應用市場(chǎng)。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的未來(lái)增長(cháng)確定性極高。期待國內晶圓制造短板快速補齊，早日將碳化硅的市場(chǎng)蛋糕越做越大！