今日，嘉興南湖區發(fā)布信息稱(chēng)，南湖區有14個(gè)項目入選浙江省“千項萬(wàn)億”工程，其中披露了有3個(gè)項目將于今年投產(chǎn)：分別為金瑞泓微電子（嘉興）年產(chǎn)480萬(wàn)片300毫米大硅片生產(chǎn)基地建設項目、嘉興斯達微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、浙江華嘉達電纜年產(chǎn)1.9萬(wàn)千米高端高性能電線(xiàn)電纜新建項目。

具體信息披露顯示，嘉興斯達微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目計劃于今年3月投入使用，總投資20億元，投產(chǎn)后可實(shí)現年產(chǎn)36萬(wàn)片功率芯片生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值10億元，可實(shí)現年稅收4億元。

2021年6月，斯達半導體募資35億元建設4個(gè)項目。其中，與碳化硅相關(guān)的2個(gè)項目——“SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”和“功率半導體模塊生產(chǎn)線(xiàn)自動(dòng)化改造項目”落戶(hù)浙江省嘉興市南湖區。

2022年6月，嘉興斯達的碳化硅項目入選2022年省重點(diǎn)建設和預安排項目計劃；2023年4月，上述2個(gè)SiC項目的兩幢廠(chǎng)房宣布開(kāi)始調試設備，其他廠(chǎng)房正在等待驗收，目前可以確定該項目可以于本月正式投產(chǎn)。

斯達半導體作為IGBT國產(chǎn)化先鋒，目前正在率先卡位SiC開(kāi)啟第二成長(cháng)曲線(xiàn)。公司業(yè)務(wù)覆蓋低/中/高壓IGBT模塊、MOSFET模塊等產(chǎn)品，還提供變頻器、光伏、新能源車(chē)等應用的全方位解決方案。

2023年上半年，斯達就已表示應用于乘用車(chē)主電機控制器的SiC MOSFET模塊正在持續放量，同時(shí)公司使用自主SiC MOSFET芯片的車(chē)規級SiC MOSFET模塊在主電機控制器客戶(hù)完成驗證并小批量出貨。