芯片制造商安森美半導體公司近日預測第三季度營(yíng)收將高于市場(chǎng)預期，因為市場(chǎng)樂(lè )觀(guān)地認為汽車(chē)行業(yè)的強勁需求將抵消半導體行業(yè)整體疲軟的影響。截至美國時(shí)間當天中午，這家總部位于亞利桑那州的公司股價(jià)上漲超過(guò)3.4%，至108.68美元，今年迄今已上漲68.5%。

電動(dòng)汽車(chē)的日益普及給Onsemi和NXP Semiconductors等芯片制造商帶來(lái)了福音。Onsemi今年5月表示，正在考慮投資超過(guò)20億美元來(lái)提高碳化硅芯片的產(chǎn)量，以延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程。

Onsemi正在考慮在韓國、美國和捷克共和國的現有場(chǎng)地建設新工廠(chǎng)。

安森美首席執行官Hassane El-Khoury之前受訪(fǎng)時(shí)稱(chēng)，該該公司的碳化硅芯片生產(chǎn)目前集中在其位于韓國富川市的一家工廠(chǎng)。該公司計劃尋找“端到端”生產(chǎn)方式，簡(jiǎn)而言之，即無(wú)論選擇哪個(gè)生產(chǎn)據點(diǎn)，都可以將原始碳化硅粉末轉化為芯片。

Hassane El-Khoury告訴路透社，如果需求持續增長(cháng)，該公司愿意建造全新工廠(chǎng)（the company is open to building brand new factories if demand continues to rise）。但與此同時(shí)，使用現有場(chǎng)地將有助于使碳化硅業(yè)務(wù)的利潤率與更廣泛的公司利潤率保持一致，即使在考慮了擴大生產(chǎn)的支出之后也是如此。

El-Khoury 告訴路透社：“目前（現有站點(diǎn)）是可行的方法，我們用運營(yíng)現金流來(lái)支付。”

汽車(chē)芯片制造商恩智浦上周預測第三季度營(yíng)收和利潤強勁，表現出對穩定汽車(chē)需求的信心。

Onsemi為大眾汽車(chē)(VOWG_p.DE)等公司生產(chǎn)傳感器并供應芯片，預計第三季度收入在 21億美元至22億美元之間。根據Refinitiv IBES數據，分析師平均預期收入為20.7億美元。

截至6月30日的第二季度，該公司收入升至20.9億美元，高于分析師預期的20.2億美元。Onsemi的電源解決方案集團提供電源管理芯片，約占季度總收入的53%，推動(dòng)了營(yíng)收的增長(cháng)。根據Refinitiv的數據，經(jīng)調整后，該公司在報告季度的每股收益為1.33美元，而預期為每股1.21美元。

值得一提的是，按照Hassane El-Khoury在第一季度財報電話(huà)會(huì )議上披露，安森美加速的碳化硅制造產(chǎn)量超出了公司的內部計劃，使其的碳化硅收入環(huán)比增長(cháng)了近一倍，而且公司的 ADAS和能源基礎設施收入同比增長(cháng)了約50%。根據相關(guān)報告調研統計，如圖所示，STMicroelectronics擁有最大的市場(chǎng)份額，但2022年真正的增長(cháng)來(lái)自安森美半導體，其市場(chǎng)份額增長(cháng)了一倍多。

按照安森美的預期，到2027年前，自家的SiC市占率將提高到40%。該公司預測，SiC市場(chǎng)能以10-12%的復合年增率擴大，銷(xiāo)售從去年的83億美元攀升到139億美元。此外，安森美希望現金流能從去年的16億美元，在2027年以前增為35億美元。

能擁有這樣的雄心，得益于onsemi在技術(shù)上的進(jìn)步。

今天五月，Onsemi方面透露，公司正在開(kāi)發(fā)采用溝槽結構而不是平面結構的碳化硅 MOSFET，預計將于今年晚些時(shí)候提供樣品，預計將于2024年提供樣品。

該公司在捷克共和國布爾諾附近設有碳化硅外延晶圓廠(chǎng)，并在韓國的一家晶圓廠(chǎng)進(jìn)行器件制造。轉向溝槽結構允許在150毫米（6英寸）晶圓上構建更多器件，從而降低器件成本。該公司還有一個(gè)200毫米（8英寸）SiC晶圓生產(chǎn)的工程計劃。

在此之前，安森覓推出了最新一代1200V EliteSiC M3S器件，其導通電阻降至。這些產(chǎn)品針對800 V電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器(OBC)和能源基礎設施應用，例如EV充電、太陽(yáng)能和儲能系統。

EliteSiC M3S器件還用于采用標準F2封裝且具有低Rds(on)的半橋功率集成模塊(PIM)。該模塊針對工業(yè)應用，非常適合DC-AC、AC-DC和DC-DC高功率轉換級。它們通過(guò)優(yōu)化的直接鍵合銅設計提供更高水平的集成，以實(shí)現并聯(lián)開(kāi)關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。PIM旨在為能源基礎設施、電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電和不間斷電源(UPS)提供高功率密度。

“onsemi最新一代汽車(chē)和工業(yè)EliteSiC M3S產(chǎn)品將使設計人員能夠減少其應用占用空間和系統冷卻要求，”onsemi高級副總裁兼高級電源部門(mén)總經(jīng)理Asif Jakwani表示。“這有助于設計人員開(kāi)發(fā)具有更高效率和更高功率密度的高功率轉換器。”

符合汽車(chē)標準的1200 V EliteSiC MOSFET專(zhuān)為高達22 kW的高功率OBC和高壓至低壓 DC-DC轉換器而定制。M3S技術(shù)專(zhuān)為高速開(kāi)關(guān)應用而開(kāi)發(fā)。