近日，一個(gè)200億級別的SiC IDM項目成功簽約落戶(hù)湖北武漢，或將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地。

實(shí)際上，今年以來(lái)，湖北還有4個(gè)在建的SiC項目，涉及環(huán)節包括襯底、器件、模塊等。

長(cháng)飛先進(jìn)、東湖高新區簽約 

打造超200億元SiC基地項目

8月25日，長(cháng)飛先進(jìn)一行與武漢東湖高新區舉行了半導體合作項目簽約儀式，就第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目達成合作。

據介紹，雙方已簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。該項目總投資預計超過(guò)200億元，其中項目一期總投資約100億元，項目建設內容包括第三代半導體外延、晶圓制造、封測等產(chǎn)線(xiàn)，建設完畢后將形成年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓及外延、年產(chǎn)6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊的能力。

據此前報道，該項目于今年5月宣布啟動(dòng)；今年6月，長(cháng)飛先進(jìn)宣布擬投資人民幣60億元建設第三代半導體功率器件生產(chǎn)項目，資金來(lái)源包括約36億元的股權融資及約24億元的銀行貸款。

該項目預計2025年建設完成，屆時(shí)將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地。

此外，該項目還將建設第三代半導體科技創(chuàng )新中心，用于跟進(jìn)第三代半導體國際前沿技術(shù)并開(kāi)發(fā)第三代半導體器件先進(jìn)工藝。

目前，長(cháng)飛先進(jìn)已成功實(shí)現由“Foundry”到“IDM+Foundry”的業(yè)務(wù)轉型，打造了完整的650V-3300V SiC產(chǎn)品矩陣；長(cháng)飛光纖持有長(cháng)飛先進(jìn)22.9008%的股權，長(cháng)飛先進(jìn)不再納入上市公司合并報表范圍，為長(cháng)飛光纖的合營(yíng)公司。

智新半導體、吉盛微等 

盤(pán)點(diǎn)湖北其他4個(gè)SiC項目

據不完全統計，2023年以來(lái)，湖北省還有4個(gè)在建的SiC項目。

·潛江市年產(chǎn)30萬(wàn)片項目

1月，據湖北省公共資源交易平臺披露，年產(chǎn)30萬(wàn)片碳化硅晶體項目已經(jīng)通過(guò)潛江市發(fā)展和改革委員會(huì )審核，計劃將于2023年在潛江市開(kāi)工。

該碳化硅項目總投資約為2.24億元，主要將新建廠(chǎng)房22860平方米，購置生產(chǎn)設備130臺套及環(huán)保配套設施。預計項目投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)30萬(wàn)片碳化硅晶體（其中碳化硅涂層20萬(wàn)片，碳化硅晶圓10萬(wàn)片）的能力。

·吉盛微半導體SiC項目

5月6日，湖北武漢經(jīng)開(kāi)綜合保稅區及港口物流園新簽約了四個(gè)重大項目，其中包含一個(gè)碳化硅項目——吉盛微半導體SiC項目。

據悉，該項目總投資20億元，主要從事碳化硅材料研發(fā)及生產(chǎn)制造，目前已完成公司注冊、項目備案等手續，正在進(jìn)行廠(chǎng)房裝修招標，預計在7月投產(chǎn)。

·智新半導體二期項目

5月18日，湖北武漢市二季度22個(gè)重大項目集中開(kāi)工，其中包括智新半導體二期項目。該項目將新建一條車(chē)規級IGBT模塊生產(chǎn)線(xiàn)，實(shí)現新增年產(chǎn)30萬(wàn)件汽車(chē)模塊生產(chǎn)能力。更重要的是，智新已購置相關(guān)工藝設備，具備SiC模塊研發(fā)及生產(chǎn)能力，滿(mǎn)足新能源汽車(chē)、新能源裝備、工業(yè)變頻等高端應用領(lǐng)域對IGBT、SiC產(chǎn)品的需求。

·九峰山6吋中試線(xiàn)通線(xiàn)

8月1日，九峰山實(shí)驗室6吋SiC中試線(xiàn)全面通線(xiàn)，實(shí)現了首批溝槽型SiC MOSFET器件晶圓下線(xiàn)。

九峰山實(shí)驗室于2021年由湖北省人民政府正式批復組建，是9大湖北實(shí)驗室之一，已建成9000平方米潔凈室以及化合物半導體工藝、檢測、材料平臺，4/6/8 inch工藝平臺全兼容。他們已經(jīng)形成了碳化硅溝槽器件制備的自主IP成套工藝技術(shù)能力，在4個(gè)月內連續攻克碳化硅（SiC）器件刻蝕均一性差、注入后翹曲度高、柵極底部微溝槽等十余項關(guān)鍵工藝問(wèn)題。