近日，據紅旗研發(fā)新視界官微消息，由研發(fā)總院新能源開(kāi)發(fā)院功率電子開(kāi)發(fā)部牽頭與國內知名碳化硅芯片企業(yè)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的紅旗首款電驅用750V HPD全國產(chǎn)框架灌封式碳化硅功率模塊A樣件試制完成，并搭載于E009車(chē)型逆變器A樣機開(kāi)展功能、性能試驗。本次下線(xiàn)標志著(zhù)紅旗品牌向自主掌控功率變換核心技術(shù)邁出了重要一步。

HPD功率模塊A樣件

據悉，HPD碳化硅功率模塊A樣件創(chuàng )新采用直流功率端子母排疊層結構、高可靠Clip銅夾連接、高散熱水滴PinFin散熱水道、環(huán)氧樹(shù)脂灌封技術(shù)以及高耐溫銀燒結芯片貼裝工藝，實(shí)現模塊寄生電感≤7.5nH，模塊持續工作結溫175℃，輸出電流有效值達到620A。

此外，今年4月，研發(fā)總院新能源開(kāi)發(fā)院功率電子開(kāi)發(fā)部與中國電子科技集團第55研究所聯(lián)合開(kāi)發(fā)的紅旗首款全國產(chǎn)電驅用1200V塑封2in1碳化硅功率模塊A樣件試制完成。

這也標志著(zhù)紅旗達成電驅用碳化硅功率半導體設計與生產(chǎn)全自主化、全國產(chǎn)化，打破了國際芯片壟斷。

在碳化硅芯片方面，紅旗應用了高密度高可靠元胞結構、芯片電流增強技術(shù)、高可靠碳化硅柵氧制備工藝、精細結構加工工藝等，碳化硅芯片比導通電阻達到3.15mΩ·cm²，導通電流達到120A，技術(shù)指標達到國際先進(jìn)水平。

碳化硅晶圓生產(chǎn)線(xiàn)

在模塊封裝方面，紅旗應用了行業(yè)領(lǐng)先的三端子母排疊層結構、高可靠銅線(xiàn)互聯(lián)技術(shù)與高散熱橢圓PinFin散熱水道，配合大尺寸環(huán)氧樹(shù)脂轉模塑封與高耐溫銀燒結芯片貼裝工藝，實(shí)現模塊寄生電感≤6.5nH，模塊持續工作結溫175℃，輸出電流有效值達到550A。

紅旗圍繞新結構、新工藝、新材料方面開(kāi)展自主技術(shù)攻關(guān)，真正實(shí)現了芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生產(chǎn)、封裝結構設計、塑封工藝開(kāi)發(fā)與模塊試制等關(guān)鍵環(huán)節全流程自主可控。

功率模塊熱仿真示意圖

再加上本次全國產(chǎn)HPD碳化硅功率模塊A樣裝機成功，標志著(zhù)紅旗研發(fā)“芯”征程取得了重要突破。