近日，三菱電機宣布，將與安世半導體建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術(shù)開(kāi)發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，安世半導體將使用該芯片來(lái)開(kāi)發(fā)SiC分立器件。

合作方面，前不久，Coherent、電裝和三菱電機已達成協(xié)議，將向Coherent的SiC業(yè)務(wù)投資，投資金額總計10億美元（各5億美元）。

這筆投資將使電裝和三菱各換取12.5%的非控股股權，Coherent將持有剩余75%的股權。交易完成之前，Coherent將把SiC業(yè)務(wù)分離出來(lái)，并將其投入一家子公司，子公司將繼續由Coherent的新風(fēng)險投資與寬帶隙電子技術(shù)執行副總裁Sohail Khan領(lǐng)導。

該SiC子公司將與電裝和三菱電機達成長(cháng)期供應協(xié)議，以滿(mǎn)足電裝和三菱對150 mm和200 mm的SiC襯底和外延片的需求。

近年來(lái)，Coherent投資擴大了150 mm和200 mm襯底的生產(chǎn)規模，以應對這一市場(chǎng)。此次對SiC業(yè)務(wù)進(jìn)行10億美元的合并投資，將為擴產(chǎn)該業(yè)務(wù)的襯底和外延片提供資金，另一方面，結合同時(shí)簽訂的供應協(xié)議，還可增強SiC業(yè)務(wù)在市場(chǎng)中的地位。預計2024年第一季度完成此次交易。

而今年5月，三菱電機就與Coherent簽署了一份諒解備忘錄（MOU），雙方合作開(kāi)展一項計劃，在200mm技術(shù)平臺上大規模制造SiC電力電子器件。

根據公告，為了滿(mǎn)足快速增長(cháng)的需求，三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內投資約2600億日元。投資的主要部分（約1000億日元）將用于建設一個(gè)基于200mm技術(shù)平臺的SiC功率器件的新工廠(chǎng)，并加強相關(guān)生產(chǎn)設施。根據諒解備忘錄，Coherent公司將為三菱電機未來(lái)在新工廠(chǎng)生產(chǎn)的SiC功率器件開(kāi)發(fā)供應200mm n型4H SiC襯底片。

據悉，三菱電機2026年度SiC晶圓產(chǎn)能預計將擴增至2022年度的約5倍水平。根據此前3月消息，三菱電機投資約1000億日元，將用于建設新的8英寸 SiC 晶圓廠(chǎng)并加強相關(guān)生產(chǎn)設施。新工廠(chǎng)落址日本熊本縣，將生產(chǎn)大直徑 8 英寸 SiC 晶圓，引入具有最先進(jìn)能源效率和高水平自動(dòng)化生產(chǎn)效率的潔凈室。據悉，新廠(chǎng)房將于2026年4月投產(chǎn)。

此外，三菱電機還將加強其位于該縣合志市工廠(chǎng)的6英寸SiC晶圓的生產(chǎn)設施，擴增產(chǎn)能以滿(mǎn)足該領(lǐng)域不斷增長(cháng)的需求。

據了解，三菱電機上述位于熊本縣的兩座工廠(chǎng)均專(zhuān)注于前端制程。此外，三菱電機將新投資約100億日元用于新工廠(chǎng)，該工廠(chǎng)將整合目前分散在福岡地區的現有業(yè)務(wù)，用于功率半導體的封裝和檢查。集設計、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)技術(shù)驗證于一體，將大大提升公司的開(kāi)發(fā)能力，便于及時(shí)量產(chǎn)以應對市場(chǎng)需求。而剩余的200億日元全部為新投資，將用于設備改進(jìn)、環(huán)境安排和相關(guān)運營(yíng)。

多年來(lái)，三菱電機一直引領(lǐng)高速列車(chē)、高壓工業(yè)應用和家用電器的SiC 功率模塊市場(chǎng)。三菱電機于 2010 年推出全球首款空調用 SiC 功率模塊，創(chuàng )造了歷史，并于 2015 年成為新干線(xiàn)高速列車(chē)首家全 SiC 功率模塊供應商。

此外，三菱電機提出了到2025年度將功率半導體銷(xiāo)售額提高到2400億日元、比2021年度增長(cháng)34％的目標。營(yíng)業(yè)利潤率的目標是達到10％?，F在占主流的硅功率半導體也在增強生產(chǎn)，2022年4月在廣島縣福山市的新工廠(chǎng)開(kāi)始量產(chǎn)。計劃2024年度開(kāi)始使用300毫米晶圓進(jìn)行量產(chǎn)。

安世半導體方面，10月，安世半導體正式宣布與KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH （京瓷安施）建立了密切的合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW 至11 kW 功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿(mǎn)足工業(yè)電源、 EV 充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(cháng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。